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ST新功率MOSFET實現近乎完美的開關性能

2015年09月16日

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意法半導體(STMicroelectronics,ST)MDmesh M2系列的N-通道功率MOSFET再添新成員,為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供最高能效的電源解決方案,在低負載條件下,則讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕鬆達到日益嚴苛的能效目標要求。


新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經市場驗證的條形佈局(strip layout)和全新進化的垂直結構與最佳化的擴散製程,擁有近乎理想的開關設計,包括非常低的導通電阻和最低的關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f>150kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU)的理想選擇。


硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲,例如LLC諧振,新元件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產品的關機能源(Eoff )還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關機損耗同樣降低20%。在低電流範圍內降低Eoff損耗,有助於提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求...繼續閱讀





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