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宜普電源轉換擴大氮化鎵場效應電晶體系列

2015年06月10日

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宜普電源轉換(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN)功率電晶體,進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。


宜普電源轉換推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵功率電晶體。

宜普電源轉換推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵功率電晶體。

宜普電源轉換推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體(FET)。這些產品採用具有1毫米(mm)間距的焊球,進一步擴大EPC的寬間距元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔,使得元件以超小型尺寸(2.6mm×4.6mm)實現大電流承載能力。


與具有相同的電阻的先進矽功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件相比,這些全新電晶體的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍,是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想元件。





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