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飛思卡爾推出第一款蜂巢基地台專用的氮化鎵RF功率電晶體

2015年06月05日

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飛思卡爾半導體推出了第一款蜂巢基地台專用的氮化鎵(GaN) RF功率電晶體。新款的A2G22S160-01S為無線基礎設施應用的30瓦與40瓦放大器提供傑出的效能,它也預計是Airfast廣泛產品中第一種線進入蜂巢設備市場專用的GaN電晶體。


身為RF功率電晶體的頂尖廠商,飛思卡爾新推出的GaN RF解決方案為客戶提供了種類繁多的世界級無線基礎設施市場產品線。在這通告之前數月,該公司剛推出了MMRF5014H–飛思卡爾第一款軍用兼工業應用的GaN RF功率電晶體,在100瓦等級的GaN電晶體的熱導和寬頻帶RF效能方面,仍然獨步群雄。


飛思卡爾RF業務資深副總裁暨總經理Paul Hart表示,飛思卡爾致力於推動讓從利基市場提升到主流應用領域,例如蜂巢基礎設施。這時正適合將GaN解決方案引介給我們廣大的電信基礎客戶群。除了利用A2G22S160-01S絕佳的效能以外,我們的蜂巢設備客戶還可以充分享受飛思卡爾的量產能力和遍布全球的客戶服務。


相較於矽晶,GaN提供更高的功率轉換效益、更快的切換速度、以及更大的功率密度,因此可以製作更小巧的功率電晶體,性能也比傳統元件高。這些都是靠GaN較寬的頻帶間隙、較高的臨界電場和極高的電子移動特性才能達成。雖然移轉至GaN在以往因為成本關係難以達成,然而近年來商業與科技的進步,讓製造成本得以下降。長久以來飛思卡爾一直是半導體製造業龍頭,現在他們為若干全球最大的市場釋出了GaN的優勢,也在主流商用基地台市場上推出了大量生產的GaN功率放大器。


飛思卡爾的Airfast系列RF功率產品涵蓋所有的無線蜂巢頻譜,從600 MHz到3.8 GHz,並有多種半導體技術可供選擇。A2G22S160-01S在1800MHz到2200MHz的頻帶間提供最先進的效能。譬如說,40瓦的Doherty雙向非對稱放大器就在載波路徑上使用一組A2G22S160-01S、在峰值路徑上則使用兩組,最高輸出功率達56.2 dBm。當output back-off (OBO)達到8分貝時,增益值為15.4 dB而效率為百分之56.7。以兩組帶有合計40 MHz載波頻寬的20MHz LTE載波驅動時,在數位預失真(DPD)下的相鄰頻道功率(ACP)為-55 dBc。


A2G22S160-01S氮化鎵RF功率電晶體現已量產,另有參考設計及其它輔助解決方案提供。





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