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意法半導體(ST)先進的1200V IGBT可實現更長的使用壽命並節省更多能源

2014年07月14日

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意法半導體的新款IGBT擁有極強的耐用性,當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定(latch-up-free)效應,及僅5μs的短路時間(在150°C 初始結溫時)。

意法半導體的新款IGBT擁有極強的耐用性,當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定(latch-up-free)效應,及僅5μs的短路時間(在150°C 初始結溫時)。

意法半導體最新的1200V絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)藉助第二代溝槽式場截止(trench-gate field-stop)高速技術提升太陽能逆變器、焊機(welder)、不間斷電源和功率因數校正(PFC,Power-Factor Correction)轉換器的耐用性和能效。


意法半導體的新H系列1200V IGBT降低多達15%的關機損耗和導通損耗。飽和電壓(Vce(sat))減少至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值),這能確保總體損耗降至最低,在20kHz開關頻率下更高效地工作。


此外,新款1200V IGBT提供整合高速恢復反平行二極體的選項,以協助開發人員最佳化硬開關(hard-switching)電路的性能,使用飛輪二極體(freewheel diode)大幅降低開關電路的能源損耗。


新款IGBT擁有極強的耐用性,當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定(latch-up-free)效應,及僅5μs的短路時間(在150°C 初始結溫時)。最大工作結溫擴大到175°C,有助於延長產品的使用壽命,簡單化系統散熱設計。寬安全工作範圍(SOA,Safe Operating Area)則有效提升大功率應用的工作可靠性。


優異的防電磁干擾(EMI,electromagnetic interference)是新產品的另一大優勢,這歸功於新系列產品在開關過程中取得近乎理想的波形,令競爭產品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度係數,結合元件之間參數分佈緊密,使其在大功率應用中能更安全的平行工作。


意法半導體的H系列IGBT現已量產,採用TO-247封裝,共有15A、25A和40A三個型號。





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