Path: EDNTaiwan電子技術設計 >> 產品中心 >> IC/電路板/系統設計 >> 新思科技全新矽驗證DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP 能減少50%的晶片設計面積
IC/電路板/系統設計 Share print

新思科技全新矽驗證DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP 能減少50%的晶片設計面積

2014年07月04日

Share this page with your friends

全球晶片設計及電子系統軟體暨IP供應廠商新思科技(Synopsys)近日宣布,全新的DesignWare USB femtoPHY IP成功將USB PHY實作面積縮小達50%,並能減少USB PHY的矽足跡以及針對28和14/16奈米FinFET製程的晶片設計成本。在28與14奈米FinFET矽晶中,DesignWare USB femtoPHY展現了強大效能,讓設計人員在先進製程技術中也能實際應用IP,並降低系統單晶片(SoC)的設計風險。而因應晶片設計面積極小化的需求,最佳化的DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHYs,能滿足智慧型手機、平板等行動裝置以及數位電視、儲存和網路等大量消費性應用產品的嚴格要求。


DesignWare USB 3.0 以及 USB 2.0 femtoPHY IP (包括DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET and DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已通過多項由USB開發者論壇(USB Implementers Forum, USB-IF)所進行的相容性測試,包括5V耐受度(tolerance)和3.3V訊令傳輸(signaling);其所具備的卓越效能,對於採用USB-IF規格的系統配置來說是一大福音。此外,DesignWare USB femtoPHYs也支援完整的USB實作,提供可應用於廣泛SoC設計的系統架構。DesignWare USB 3.0 以及 USB 2.0 femtoPHY IP皆支援、高速、全速和低速運作,以及主機端(Host)、裝置端和OTG(On-the-Go)配置。同時,DesignWare USB 3.0 femtoPHY 還支援 SuperSpeed USB (USB 3.0)。


三星電子晶圓行銷副總裁 Shawn Han表示:「基於長久以來使用DesignWare USB IP的成功經驗,這次我們利用高品質的DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP達成一次完成矽晶設計(first-pass silicon success)。此次在三星電子晶圓廠完成製造流程的DesignWare USB femtoPHY IP,是第一個通過USB-IF認證的14奈米FinFET矽晶。客戶採用面積大幅縮小的PHY後,將能提升SoC設計的競爭力,同時也簡化額外的USB連結。新思科技的DesignWare femtoPHY滿足大量行動裝置和消費性應用產品在成本、功耗、效能及上市時程等需求;而這些都是讓我們能成功因應快速變化的市場需求的重要關鍵。」


圖中如眼睛般的圖示代表在14奈米FinFET製程技術中,新思科技DesignWare USB 3.0 femtoPHY矽晶所展現的絕佳效果和優勢。

圖中如眼睛般的圖示代表在14奈米FinFET製程技術中,新思科技DesignWare USB 3.0 femtoPHY矽晶所展現的絕佳效果和優勢。

新思科技所開發的USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP,能讓設計人員在不犧牲USB認證所要求的功能情況下,為其設計的應用選擇最理想的實作方式,例如,要求高效能的設計,能藉由SuperSpeed USB (USB 3.0)的規格,有效利用USB 3.0 femtoPHY的 5.0 Gbp數據傳輸率;而對效能要求較少的應用,則可藉由Hi-Speed USB (USB 2.0)規格,執行USB 2.0 femtoPHY的 480 MHz數據傳輸率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能減少SoC周邊所需的針腳(pin)數,以進一步降低SoC的面積和成本。透過節能(power down)功能,當PHY未運作時,可將其設為待機狀態,一方面降低電池消耗,同時保有PHY的全部使用狀態,有助於快速、正確的恢復開機模式。此外,DesignWare USB femtoPHY還支援業界普及的USB Battery Charging 1.2版以及USB OTG 2.0版協定。


USB開發者論壇總裁暨營運長Jeff Ravencraft表示:「十八年來,新思科技一直是USB-IF的活躍會員之一,藉由不斷開發IP產品,讓USB 3.0 和USB 2.0介面能輕易地整合和應用。而新思科技全新且面積較小的DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY取得USB-IF的認證,意味著該產品能滿足USB-IF相容性標準,並且符合相對應的規格,協助晶圓製造商,能順利將這項技術納入他們的SoC製程中。」


新思科技IP暨軟體原型行銷副總裁John Koeter表示:「透過新思科技的解決方案,SoC設計人員已在3,000多件設計和超過100個製程技術中,完成USB介面開發,鞏固了新思科技10多年來位居全球USB IP主要供應廠的地位。新思科技IP技術團隊及為先進製程提供高品質IP專業技術的佳績,讓設計人員在晶片設計中,具有整合能滿足各項應用迫切所需IP的能力。隨著DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP的推出,以及成功應用在FinFET矽晶技術上做為後盾,讓我們能協助客戶滿足業界需求,設計出更小、更低成本及更高效能的SoC。」


上市時程

DesignWare USB 2.0 和USB 3.0 femtoPHY IP已應用在業界主要的14/16奈米FinFET和28奈米製程節點。





想要免費接收更多的技術設計資訊嗎?

馬上訂閱《電子技術設計》郵件速遞,透過郵箱輕鬆接收最新的設計理念和產品新聞。

為確保您的資訊安全,請輸入右方顯示的代碼.

啟動您的訂閱申請

我們已給您的註冊郵箱發送了確認信,請點擊信中的連結啟動您的訂閱申請。

這將有助於我們很好地保護您的個人隱私同時確保您能成功接收郵件。


添加新評論
遊客 (您目前以遊客身份發表,請 登入 | 註冊)
*驗證碼:

新聞 | 產品 | 設計實例