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電源/智慧型能源 Share print

以專有的封裝技術強化先進的 2.5A 輸出光耦合器

2014年05月30日

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快捷半導體(Fairchild Semiconducto)新開發的 FOD8332 是一款先進的 2.5 A 輸出電流 IGBT/MOSFET 驅動光耦合器。該元件的額定絕緣工作電壓 (VIORM) 為 1,414V,較之競爭產品高 13%,可直接驅動 1200V 的 IGBT。共模瞬態抗雜訊 (CMTI) 較之競爭方案高一倍以上,開關期間每週期動態功耗 (ESW) 較之競爭產品低 50% 。


這些高壓元件令具有特定額定功率的系統能夠在更高電壓及更低電流的條件下工作,同時可抑制雜訊,降低損失,使逆變器工作更高效。


FOD8332 整合必要的關鍵性保護功能,防止故障的發生,從而確保不會產生破壞性的 IGBT 熱變形現象。由於大多數保護功能採用內嵌設計,可降低設計的複雜性,無需電路板設計者再使用額外元件。


該元件採用Fairchild專有的 Optoplanar共面封裝技術及最佳化的 IC 設計,以實現高壓絕緣和較高的抗雜訊效能,並且具有較高的共模抑制。


該元件採用寬體 16 pin 小型塑膠封裝,在緊湊的包裝內即可實現較高的隔離性能。


Fairchild Semiconductor

www.fairchildsemi.com




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