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力旺電子擴大NeoFlash技術於工規領域之應用

2014年02月14日

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嵌入式非揮發性記憶體廠商力旺電子宣佈,與世界先進積體電路公司合作之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財,規格已由原先之消費性電子應用範圍強化至工業等級,大幅提升資料在嚴苛的工業環境留存能力,可支援對高溫操作環境有嚴格要求之客戶。此成果為NeoFlash繼應用於觸控晶片與電池容量偵測晶片後之重要製程突破,將可使產品應用範圍自消費性電子擴大至高階工業規格領域,如工業機具、製造設備與醫療器材等。目前此解決方案已成功通過可靠度驗證,即日起可供該公司客戶量產使用。


力旺電子所提供之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格增強至125℃/10年,讀取速度高達40ns,更適用於對環境要求與性能表現更為嚴苛之工業產品,如ARM Cortex-M0微控制器之需求,可協助客戶自消費性電子市場跨越至工業規格範疇,進階擴展應用產品版圖。力旺電子之嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財因與邏輯製程完全相容,與高壓製程整合性高,僅需外加2道光罩,即可於高壓製程平台實現儲存功能,與其它嵌入式快閃記憶體至少需外加7至9道光罩相比,可大幅減輕晶圓製造成本。另外,若客戶在成本和功能的平衡上需要更多元化的解決方案,亦可選搭力旺電子特有之混合式嵌入式非揮發性記憶體解決方案,突顯產品差異化優勢,推出定位更精準的產品。


力旺電子總經理沈士傑表示:“力旺電子與世界先進成功完成0.16微米NeoFlash之產品驗證為雙方合作的重要里程碑,透過雙方積極建構單次可程式與多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術佈局,將可彈性因應與時俱變的需求,提供最適中的eNVM解決方案,並進一步協助客戶拓展產品應用領域,創造策略性市場。未來,力旺電子將與世界先進保持密切合作,以滿足客戶對專業化嵌入式非揮發性記憶體技術平台之期待。”





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