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英飛凌推出採用無核變壓器技術的精簡型驅動器

2013年12月06日

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英飛凌科技的最新 1EDI EiceDRIVER 精簡型單通道閘極驅動器採用英飛凌開發的「無核變壓器技術」,讓輸出可高達 6 安培的電流。

英飛凌科技的最新 1EDI EiceDRIVER 精簡型單通道閘極驅動器採用英飛凌開發的「無核變壓器技術」,讓輸出可高達 6 安培的電流。

英飛凌科技股份有限公司推出最新 1EDI EiceDRIVER 精簡型單通道閘極驅動器,可用於高達 1200V 隔離電壓之應用。這款具電氣隔離的驅動器元件採用英飛凌開發的「無核變壓器技術」,讓輸出可高達 6 安培的電流。基本系統包括用於 IGBT 與 MOFET 的 UVLO (欠壓鎖定) 以及在驅動器未連接至電源供應器時可主動關機的功能。1EDI 驅動器採用小尺寸 DSO-8 封裝,並於高達 125°C 的環境溫度中作業,例如工業馬達、變頻器、焊接設備、電磁爐設備以及伺服器及電信設備之電源供應設備。


英飛凌負責 EiceDRIVER 產品行銷的 Oliver Hellmund 表示:「隨著 1EDI 驅動 IC 的推出,讓我們依據產品應用和功能性之不同,更加擴展我們的驅動 IC 產品至小尺寸領域。如同 2EDL Compact 產品,新款驅動器元件同樣針對大眾消費者市場以及工業領域。1EDI Compact 擁有絕佳的耐用性,同時具有非常安全的高電壓功率半導體控制能力。我們的精簡型驅動器產品現在全面涵蓋具有功能性隔離要求的功率半導體之應用。」1EDI 驅動 IC 共有八種版本,適用於IGBT 或 MOSFET,最高工作電壓可達 1200V的應用。


新款 EiceDRIVER 元件是第一款 CMTI (共模瞬變抗擾性) 數值達到 100kV/μs 的驅動 IC。MOSFET 及IGBT 的驅動器皆可供應 6 安培的輸出電流。MOSFET 驅動器經過最佳化,適用於採用 CoolMOS 技術的功率半導體。由於具備較低的電感損耗,因此 EiceDRIVER 在搭配最新世代的 CoolMOS C7 時,可提供額外 0.5% 的效率。目前也準備推出僅有 IGBT 的版本,可提供 4、2 及 0.5 安培的輸出。上述五種版本閘極充電與放電皆有獨立輸出。另有三種版本設計為輸出腳及限制閘極電壓 (主動米勒鉗制)腳 ,提供 3、2 及 1 安培的輸出電流。


除了小尺寸的產品,EiceDRIVER 家族還包括 EiceDRIVER Enhanced 系列,為工業領域及部分消費性產品領域提供更多的功能。


上市時間及其他資訊

適用於 MOSFET 與 IGBT、輸出電流 6 安培的 1EDI EiceDRIVER 樣品目前已開始供應。客戶評估板將於 2014 年 1 月開始接受訂購。上述版本產品的生產作業預計於 2014 年 3 月開始。其他驅動器產品將於 2014 年第一季開始提供樣品;預計於 2014 年第二季開始量產。





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