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意法半導體和Memoir Systems整合突破性的記憶體技術和半導體製程技術

2013年11月27日

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橫跨多重電子應用領域的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣佈與Memoir Systems的合作專案開發出革命性的演算法記憶體技術Algorithmic Memory Technology)。新技術將用於製造採用完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)技術的專用積體電路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系統單晶片(SoCs,Systems on Chips) 的內部記憶體。


當整合到採用FD-SOI製程的產品時,FD-SOI的功耗和性能優勢使Memoir Systems的演算法記憶體不會損失任何性能。此外,整合了FD-SOI的極低軟性錯誤率(SER,Soft Error Rate)和超低漏電流的優勢為包括網路、交通、醫療和航空等特定關鍵應用帶來獨特的價值主張(value proposition)。


意法半導體設計支援服務執行副總裁Philippe Magarshack表示:「與採用其它製程的元件相比,單獨使用FD-SOI製程的ASIC和SoC擁有更快的速度及更強的散熱性能。在增加了Memoir Systems的智慧財產權後,FD-SOI產品變得更加誘人,並使代碼移植變得更簡單。」


Memoir Systems共同創辦人暨執行長Sundar Iyer表示:「我們致力於突破性記憶體技術的開發以及更短設計週期和極高性能的實現,整合同等級中最好的演算法記憶體技術與FD-SOI平台對我們的客戶具有重要意義。代碼移植的簡易性結合我們有目共睹的優異性能,證實了FD-SOI可帶來更快的速度、更強的散熱性能及更簡單的設計。」


作為市場領先的ASIC大廠,意法半導體率先推出了完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)製程技術,擴大現有平面基板半導體製程的應用範圍,並簡化了晶片設計。FD-SOI電晶體提高了靜電特性,縮短了通道長度,因此工作頻率高於採用傳統CMOS製程的同等級晶體管。





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