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美高森美高溫快閃記憶體產品可承受更深層油氣鑽井環境的挑戰

2013年04月16日

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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈推出專為滿足油氣產業井下鑽探環境要求而量身訂做的高溫快閃記憶體產品。新的高溫NOR快閃記憶體產品是為150°C或更高溫度環境應用而設計的,並為系統設計人員提供改良的耐久性優勢,這些產品能夠承受鑽井設備在地表數千英尺以下所面臨到的溫度、衝擊和振動挑戰。

美高森美戰略發展副總裁兼副總經理BJ Heggli表示:“過去數十年來,公司一直在提供高可靠性的微電子產品,我們瞭解在嚴苛條件下實現高可靠性運作的重要性,這就是我們的產品可以承受嚴苛的設計、特性化和測試過程的原因所在。美高森美所擁有的獨特能力可以滿足市場對更高密度和更高溫度愈來愈高的需求,我們非常高興推出首批數款井下鑽探產品。”

由於傳統的油氣來源逐漸減少,油氣產業轉向未開發地區開採的情況越來越多,在這些地區經常會出現的高溫和高壓狀況,將為鑽探設備上所使用的微電子產品帶來錯綜複雜的挑戰。電子產品的故障是造成鑽探系統故障的主要原因。

關於高溫快閃記憶體

新的NOR快閃記憶體產品線提供密封式陶瓷雙列直插 (DIP) 小外形 J-lead(SOJ)封裝、扁平封裝、陶瓷四方扁平封裝(CQFP),或引腳格柵陣列(PGA)封裝,並具有1 Mb、4Mb和16Mb密度。




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