Path: EDNTaiwan電子技術設計 >> 產品中心 >> 通訊/網路/無線 >> RFMD 贏得 DARPA GaN 合約,以強化高功率RF 放大器效能
通訊/網路/無線 Share print

RFMD 贏得 DARPA GaN 合約,以強化高功率RF 放大器效能

2012年11月02日

Share this page with your friends

設計和製造高效能射頻零組件以及化合物半導體技術之供應商RF Micro Devices, Inc.宣布獲得美國國防先進研究計劃局(DARPA)一項達210萬美元的合約,以提高用於高功率雷達和其他軍用系統的氮化鎵(GaN)電路散熱效率。

該合約內容是關於DARPA熱管理技術TMT)計劃的近接面熱傳輸(NJTT)。DARPA NJTT的目標,是透過近接面熱管理的改良,達到GaN功率放大器功率處理3倍或更高的提升。透過結合散熱強化型鑽石基板與RFMD領導業界的GaN-on-SiC高功率技術,RFMD預期將顯著提升功率密度和功率處理能力。

RFMD功率寬頻業務部副總裁暨總經理Jeff Shealy表示:「RFMD非常高興能與DARPA合作,將新技術用於我們現有的GaN高功率RF放大器產品組合。我們期望NJTT方案能帶來新一代更高性能、更精小的RF高功率放大器(HPA),以及更低操作溫度和更高的RF每單位功率面積。」

RFMD在此方案的合作夥伴包括喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)、史丹佛大學(Stanford University)、Group4 Labs和波音公司(Boeing)。喬治亞理工學院是公認的熱測試、建模和微拉曼熱成像技術之領導者。史丹佛大學則是電晶體晶片內關鍵界面層熱測量的全球領導者,Group4 Labs是鑽石基板的開發先驅,而波音公司則計劃評估相關技術,以了解其對於未來防禦系統的預期影響。




想要免費接收更多的技術設計資訊嗎?

馬上訂閱《電子技術設計》郵件速遞,透過郵箱輕鬆接收最新的設計理念和產品新聞。

為確保您的資訊安全,請輸入右方顯示的代碼.

啟動您的訂閱申請

我們已給您的註冊郵箱發送了確認信,請點擊信中的連結啟動您的訂閱申請。

這將有助於我們很好地保護您的個人隱私同時確保您能成功接收郵件。


添加新評論
遊客 (您目前以遊客身份發表,請 登入 | 註冊)
*驗證碼:

新聞 | 產品 | 設計實例